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北京瑞亿斯RTP-500型快速热处理设备快速热处理炉快速退火炉使用说明购买
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北京瑞亿斯RTP-500型快速热处理设备快速热处理炉快速退火炉使用说明购买

可用于硅及化合物半导体材料离子注入后的退火,硅化物形成,欧姆接触制备以及快速氧化,快速氮化等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温的功能,因此也可用于铁电膜的制备以及各种半导体材料CVD工艺的热处理。

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    北京 昌平区 北京市延庆区八达岭开发区风谷四路8号院19号楼C座394室(中关村延庆园)
品牌:北京瑞亿斯牌是否进口:否产地:北京瑞亿斯
加工定制:否型号:RTP-500型电工电器设备名称:快速热处理设备快速退火炉
材质:双闭环温度控制产品认证:可编程温度曲线存储500条以上最大电压:电源:380VVV
工作电流:32A 3相AA产品特性:热处理

北京瑞亿斯RTP-500型快速热处理设备快速热处理炉快速退火炉使用说明购买详细介绍

北京瑞亿斯RTP-500型快速热处理设备快速热处理炉快速退火炉怎么使用说明购买

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1.用途

快速热处理技术(RTP)近年来得到越来越的应用,可用于硅及化合物半导体材料离子注入后的退火,硅化物形成,欧姆接触制备以及快速氧化,快速氮化等方面。该设备具有很好的长时间工作稳定性以及快速升降温,慢速升降温的功能,因此也可用于铁电膜的制备以及各种半导体材料CVD工艺的热处理。

RTP-500快速热处理设备技术指标
1.温度范围:150-1300C
2.升温速率:0.001-220C/s可予设定
3.样品架尺寸:4英寸
4.密封石英盒内尺寸:215X140X14mm
5.PC机控制.CPU主频2.1G内存128M,硬盘40G,软驱1.44M,17英寸显示器,WIN2000操作系统.配有AD/DA卡,及RTP-500控制软件.
6.可编程温度曲线存储500条以上,每条曲线包括50段以上,温度设定范围100-1300C,时间设定范围1-30000秒
7.实时温度曲线显示及存储功能.文件格式输出
8.双闭环温度控制,稳态温度稳定性+/-2C,1000C连续工作>1小时
9.光源:1.5KWX13卤钨灯
10.电源:380V35A三相五线(三火线,零线,地线)
11.水源:自来水或循环水,水压1-3kg/平方厘米,流量6-8升/分
12.外形尺寸:电源箱440X200X520mm,炉体箱440X200X520mm

2.主要技术参数数据

2.1 温度范围150℃-1300℃,建议使用温度范围150℃-1250℃

2.2 升温速率0.001-220℃/秒,可预设定2-20

2.3 密封石英盒尺寸:210×140×14mm

2.4PC机控制。CPU主频1.1G,内存128M,硬盘20G,软驱1.44M,40倍速光驱,显示器15寸彩显

2.5可编程温度曲线存储500条以上,每条曲线可包括50段以上,温度设定范围100℃-1300℃时间设定范围1-30000秒

2.6实时温度曲线,显示及存储功能,存储实验曲线500条以上。

2.7手动控制:时间设定范围1-9999秒,温度设定范围100-1300℃

2.8双闭环温度控制,稳态温度稳定性±2℃

2.9光源:1.25KW×13卤钨灯

2.10电源:380V 32A 3相

2.11外形尺寸:电源箱440×200×520mm

炉体箱440×200×520mm

PC机:标准尺寸

3.工作原理及结构

3.1原理简述

在聚光腔内的卤钨灯产生的光辐照,通过石英盒照射到样品上。由于样口是聚光腔内的光吸收体,腔内的光线大部分被样品所吸收,使样品温度快速升高。测温热电偶测出温度信号,经线性化和放大 ,通过A/D转换送入PC机。PC机根据预定的温度曲线,以及当前温度值,决定控制电压的大小,经D/A转换器送入接口电路。通过控制电路和固态控制器,控制灯电流大小,实现闭环控制。

3.2快速退火炉结构

上下前后四块反光板均为水冷,以保持良好的温度稳定性和较快的降温速度。石英盒为密封结构,盒后部有一个气嘴,可通往保护气体。盒前部与垫板之间用704硅胶封结。以良好的密封性能。垫板侧面有一个气嘴,与排气管相连。垫板用螺钉固定在前反光板上。石英盒后端有两个带弹簧的顶钉压紧。石英盒内部的后部放有一石英挡条,使保护气体气流均匀。前盖上装有石英样品架和测温热电偶。热电偶经过氧化处理,其表面吸收系数与硅片相近。前盖装有“O”型密封圈,其密封。前盖装在导柱上可以前后滑动。装片时拉出来,退火时推进去。石英盒上面装有6支卤钨灯。下面装有7支卤钨灯。每支灯上串有1欧姆电阻。其作用是减小启动时的冲击电流及电流取样。退火炉两侧装有风扇,给卤钨灯及石英盒强制风冷。退火炉面板左侧装有N2流量计,可调节和监视保护气体的流量。面板右侧有两排发光二极管。用来监视每支卤钨灯的电流。


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